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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
InfineonIRLZ34NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.035Ohm;ID 30A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-16V
InfineonIRFZ34NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 29A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-20V
InfineonIRF5305PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;TO-220AB;PD 110W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA76419P3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
PWR MOS ULTRAFET 60V/30A/0.042 OHMS N-CH LL TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
75W(Tc) 3V@ 250µA 28nC@ 10V 1individualNChannel 60V 35mΩ@ 29A,10V 900pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
MOSFETs 20a, 60V, 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:29A; On Resistance, Rds(on):0.04ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-20 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Current Rating27 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time76 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance900 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Rds On Max35 mΩ
Rise Time66 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
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