Infineon IRF5305PBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -55V; Rds(on) 0.06 Ohm; Id -31A; TO-220AB; Pd 110W; Vgs +/-20V
$ 0.555
Production
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Preis und Lagerbestand

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren

IHS

Sierra IC

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25

Verwandte Teile

VishayIRFZ34PBF
Single N-Channel 60 V 0.05 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
N-Channel 35 A 55 V 0.034 Ohm UltraFET Power Mosfet - TO-220AB
onsemiFQP30N06L
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 32 A, 35 mΩ, TO-220
TRANSISTOR, N-CHANNEL, ULTRAFET POWER MOSFET, 55V, 75A, 8MOHM, TO-220AB
InfineonIRFZ34NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 29A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-20V
InfineonIRLZ34NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.035Ohm;ID 30A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-16V

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF5305PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;TO-220AB;PD 110W;VGS +/-20V
Single P-Channel 55 V 0.06 Ohm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
277.8W 20V 4.5V@1.3mA 63nC(Max) @ 10V 1P 650V 110m¦¸@ 10V,12.7A 31.2A 1.2nF@ 25V TO-220
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: P Power dissipation: 110 W
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
P Channel Mosfet, -55V, 31A, To-220Ab; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:31A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF5305PBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 5305
  • IRF 5305
  • IRF 5305PBF
  • IRF-5305
  • IRF5305
  • IRF5305PBF.
  • SP001564354