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Infineon IRF5305PBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -55V; Rds(on) 0.06 Ohm; Id -31A; TO-220AB; Pd 110W; Vgs +/-20V
$ 0.553
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
2
IRF5305PBF
5.391
1
USD
2,010
0,990
0,815
0,599
0,560
Future Electronics
2
IRF5305PBF
60.385
100
Tube
USD
0,390
0,375
0,350
Rutronik
TMOSP11803
26.300
1K
USD
0,460
0,368
14h
Rochester Electronics
IRF5305PBF
2.055
USD
0,557
0,462
0,412
7h
Arrow Electronics
3
IRF5305PBF
70.876
1
USD
1,996
1,017
0,843
0,554
0,554

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF5305PBF herunter.

Newark

Datasheet9 SeitenVor 22 Jahren

element14 APAC

IHS

Sierra IC

Farnell

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25

Verwandte Teile

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Details
InfineonIRLZ34NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.035Ohm;ID 30A;TO-220AB;PD 68W;VGS +/-16V
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF5305PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -31A;TO-220AB;PD 110W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Infineon Technologies P-channel HEXFET power MOSFET, -55 V, -31 A, TO-220, IRF5305PBF
Burklin Elektronik
Single P-Channel 55 V 0.06 Ohm 63 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
Avnet
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Verical
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: P Power dissipation: 110 W
Distrelec
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, P TO-220; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 31A; Drain Source Voltage Vds: -55V; On Resistance Rds(on): 0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd
Farnell
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
DKO Electronshik
Augswan
TME
Conrad
RS
Micros
Conrad
RS (Formerly Allied Electronics)
iiiC
Distrelec
reichelt
reichelt
UTSource
Component Sense
International Rectifier
Jameco (USA)
LCSC
Newark

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 5305
  • IRF 5305
  • IRF 5305PBF
  • IRF-5305
  • IRF5305
  • IRF5305PBF.
  • SP001564354