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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPMT760EN,135
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPMT760EN,115
MOSFET N-CH 100V SC-73 / Trans MOSFET N-CH 100V 0.9A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQT4N20TF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
2.2W(Tc) 5V@ 250µA 6.5nC@ 10V 1individualNChannel 200V 1.4Ω@ 425mA,10V 220pF@25V SOT-223-4 SMD mount
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)850 mA
Current Rating850 mA
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance220 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time50 ns
Turn-Off Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
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