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Verwandte Teile
onsemiHUFA75309T3ST
1.1W(Ta) 4V@ 250µA 23nC@ 20V 1individualNChannel 55V 70mΩ@ 3A,10V 352pF@25V SOT-223-4 SMD mount
NXP SemiconductorsPMT200EN,115
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSP297L6327HTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)660 mA
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance357 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Manufacturer Package IdentifierPG-SOT223-4
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max1.8 Ω
Rise Time3.8 ns
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen