onsemi FQP9N90C

Power Mosfet, N-channel, Qfet®, 900 V, 8.0 A, 1.4 Ω, TO-220
$ 1.839
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DistributorSKUMinPkg
NewarkFQP9N90C4061
Rochester Electronics
2
FQP9N90C86
5h
DigiKeyFQP9N90COS-ND6301Tube
Onlinecomponents.comFQP9N90C050Bulk
Master ElectronicsFQP9N90C050

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Technical Drawing1 SeiteVor 6 Jahren

IHS

Factory Futures

onsemi

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-10-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQP9N90C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 8.0 A, 1.4 Ω, TO-220
onsemi
N-Channel 900 V 1.4 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:900V; Continuous Drain Current, Id:8A; On Resistance, Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:900V; Current, Id Cont:8A; Resistance, Rds On:1.12ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Current, Idm Pulse:32A; External Length / Height:4.83mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:205W; Power, Pd:205W; Resistance, Rds on Max:1.4ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:900V; Voltage, Vgs th Max:5V; Width, External:10.67mm
Farnell

Bilder

element14 APAC
RS APAC
TME
Farnell
iiiC
LZChips
Future Electronics
element14
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FQP9N90C.