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3-Monats-Trend: Restocked
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP16NF06L
N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP20NF06L
N-channel 60 V, 0.06 Ohm typ., 20 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQP9N08, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
80V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.3 A
Current Rating9.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max210 mΩ
Rise Time28 ns
Turn-Off Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)80 V
Datenblätter und Dokumente
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