onsemi FQP7N65C
$ 0.888
Obsolete
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
onsemiFQPF8N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F / Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
STMicroelectronicsSTP6NK60ZFP
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQP7N65C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
160W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 36nC@ 10V 1N 650V 1.4¦¸@ 3.5A,10V 1.245pF@25V TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
650V N-Channel Advance Q-FET C-Series
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.245 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time50 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Dimensions
Height18.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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