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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTFI4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI3N30TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) I2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3
3.13W(Ta)£¬55W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 7nC@ 10V 1individualNChannel 300V 2.2¦¸@ 1.6A,10V 230pF@25V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Current Rating3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance2.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance230 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max2.2 Ω
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)300 V
Datenblätter und Dokumente
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