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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTFI4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI3N30TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 300V 3.2A 3-Pin(3+Tab) I2PAK T/R
MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 300V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 300V N-Channel QFET
3.13W(Ta)，55W(Tc) 5V@ 250µA 7nC@ 10V 1individualNChannel 300V 2.2Ω@ 1.6A,10V 230pF@25V I2PAK，TO-262 Through hole mounting
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Current Rating3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance2.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance230 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max2.2 Ω
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)300 V
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