onsemi FQI32N12V2TU
$ 0.555
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQI32N12V2TU herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
InfineonIPI50N10S3L16AKSA1
100V, N-Ch, 15 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO262-3-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI32N12V2TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 120V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
MOSFETs 120V N-Ch Adv QFET V2 series
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time158 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.86 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max50 mΩ
Rise Time190 ns
Turn-Off Delay Time114 ns
Voltage Rating (DC)120 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQI32N12V2TU herunter.