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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
onsemiFQD6N50CTF
2.5W(Ta),61W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 25nC@ 10V 1N 500V 1.2¦¸@ 2.25A,10V 700pF@25V DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQD5N40TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance460 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.6 Ω
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Datenblätter und Dokumente
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