onsemi FQD2P40TM

Name: onsemi FQD2P40TM
Brand: onsemi
SKU: FQD2P40TM

P-channel Power Mosfet, Qfet®, -400 V, -1.56 A, 6.5 Ω, Dpak

$ 0.448

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

Autorisierte Distributoren

Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren

Nicht autorisierte Händler

Alle Preisnachlässe anzeigen

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FQD2P40TM	2.821	1	Cut Tape	1,650	1,100	0,778	0,597	0,597
Verical		FQD2P40TM	2.623	4			0,508	0,508	0,508	0,508
Arrow Electronics		FQD2P40TM	2.623	1		0,366	0,366	0,366	0,366	0,366
Rochester Electronics		FQD2P40TM	522					0,480	0,398	0,355	4h
DigiKey	3	FQD2P40TMCT-ND	5.567	1	Cut Tape	1,610	1,015	0,675	0,483	0,483

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -10.83%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQD2P40TM herunter.

Master Electronics

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

IHS

onsemi

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:

-10.83%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi FQD2P40TM Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLE	eCAD	mCAD	DATEIEN
Component Search Engine	SymbolFußabdruck	3D	Herunterladen
SnapEDA	Fußabdruck		Herunterladen
Ultra Librarian	SymbolFußabdruck		Herunterladen

Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.

Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Alternative Teile

Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiFQD2P40TM

onsemiFQD2P40TF

Price @ 1000

$ 0.448

$ 0.461

Stock

442,828

202,594

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

-400 V

400 V

Continuous Drain Current (ID)

1.56 A

Threshold Voltage

Rds On Max

6.5 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

30 V

Power Dissipation

2.5 W

Input Capacitance

350 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-09-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQD2P40TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel Power MOSFET, QFET®, -400 V, -1.56 A, 6.5 Ω, DPAK

onsemi

Trans MOSFET P-CH 400V 1.56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 1.56A I(D), 400V, 6.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Semicontronic

Mosfet, P-Ch, -400V, -1.56A, To-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.56A; Drain Source Voltage Vds:-400V; On Resistance Rds(On):5Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQD2P40TM

Newark

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor

Bilder

TME

Farnell

Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -10.83%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.56 A

Current18 A

Drain to Source Breakdown Voltage-400 V

Drain to Source Resistance6.5 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)-400 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time25 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance350 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation38 W

Min Breakdown Voltage400 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max6.5 Ω

Rise Time33 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time22 ns

Turn-On Delay Time9 ns

Voltage400 V

Dimensions

Height2.517 mm