Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FQD12N20TF | 5 | 9h | |||||||||
| Avnet | FQD12N20TF | 0 | 2K | 1d | ||||||||
| Microchip USA | FQD12N20TF | 331 | 3500 | Bulk | 3h | |||||||
| Worldway Electronics | FQD12N20TF | 22.254 | 7 | Tape & Reel | 9h |
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQD12N20TF herunter.
Offizielles DatenblattVor 2 Jahren
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQD12N20TF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANS MOSFET N-CH 200V 9A 3PIN DPAK
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 200V N-Channel QFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance910 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max280 mΩ
Rise Time120 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQD12N20TF herunter.
Offizielles DatenblattVor 2 Jahren