onsemi FQD11P06TM

Transistor, P-channel, Qfet Mosfet, -60V, -9.4A, 185 Mohm, -55 to 150C, D2PAK
$ 0.467
Production
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DistributorSKUMinPkg
Future Electronics
3
FQD11P06TM20.0002500Tape & Reel
Newark
2
FQD11P06TM5.6695Cut Tape
Verical
4
FQD11P06TM6724
Arrow Electronics
3
FQD11P06TM7541
Master ElectronicsFQD11P06TM4.91950

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

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N-Channel Power MOSFET, QFET®, 60 V, 10 A, 140 mΩ, DPAK
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VishayIRLR014PBF
Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
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Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQD11P06TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TRANSISTOR, P-CHANNEL, QFET MOSFET, -60V, -9.4A, 185 MOHM, -55 TO 150C, D2PAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -60 V, -9.4 A, 185 mΩ, DPAK
onsemi
In a Pack of 5, P-Channel MOSFET, 9.4 A, 60 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FQD11P06TM
Fly-Wing Technology
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK / Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Win Source
P-Channel 60 V 0.185 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
P-CHANNEL QFET MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, P-CHANNEL, -60V, -9.4A, TO-252-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -9.4A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -4V; Power Dissipation Pd: 2.5W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: QFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Fairchild Semiconductor
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -9.4 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 185 / Gate-Source Voltage V = 30 / Fall Time ns = 45 / Rise Time ns = 40 / Turn-OFF Delay Time ns = 15 / Turn-ON Delay Time ns = 6.5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 38
Distrelec

Bilder

TME
Farnell
RS
Newark
Distrelec
Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FQD11P06TM.