onsemi FQB33N10LTM

Name: onsemi FQB33N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQB33N10LTM

N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK

$ 1.085

EOL

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	FQB33N10LTMCT-ND	100	1	Cut Tape	2,470	1,588	1,085	1,085	1,085
Farnell	2	FQB33N10LTM	0	5	Cut Tape		1,520*	1,057*	0,724*	0,710*	7h
Microchip USA		FQB33N10LTM	205	300					6,381	6,381	3d
Component Stockers USA		FQB33N10LTM	28					0,680	0,630	0,630	>1wk
Win Source		WS-FQB33N10LTM	1.930	15				2,571	2,229	2,229	8h

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Technical Drawing1 SeiteVor 5 Jahren

IHS

Future Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-10-19

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)

LTB Date2022-12-30

LTD Date2023-06-30

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQB33N10LTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK

onsemi

N Channel 100 V 52 mO 3.75 W QFET Mosfet Surface Mount - D2PAK-3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

MOSFET, N CH, 100V, 33A, TO-263AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 33A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 127W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Farnell

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor

Bilder

element14 APAC

TME

Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FQB33N10LTM.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)33 A

Current Rating33 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance55 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time120 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.63 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation127 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape & Reel

Power Dissipation3.75 W

Rds On Max52 mΩ

Resistance52 MΩ

Rise Time470 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time70 ns

Turn-On Delay Time17 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height5.08 mm

Length10.67 mm

Width9.65 mm