Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQB32N12V2TM herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Verwandte Teile
InfineonIPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 / Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB32N12V2TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 120V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3
MOSFETs 120V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time158 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.86 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max50 mΩ
Rise Time190 ns
Turn-Off Delay Time114 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)120 V
Dimensions
Height4.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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