onsemi FQA10N80C
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-06-20
LTD Date2007-12-20
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP10NK80ZFP
N-Channel 800V - 0.8 Ohm - 9A - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTW10NK80Z
N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-247 package
STMicroelectronicsSTP10NK80Z
N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQA10N80C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
800V N-CHANNEL ADVANCE Q-FET C-SERIES
MOSFETs 800V N-Ch advance QFET
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:10A; Resistance, Rds On:0.93ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-3P; Current, Idm Pulse:40A; No. of Pins:3; Power Dissipation:240W; Power, Pd:240W; Power, Ptot:240W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:800V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating10 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation240 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation240 W
Rds On Max1.1 Ω
Rise Time130 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Datenblätter und Dokumente
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