onsemi FODM217D
$ 0.217
Production
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | 3D | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginThailand
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2017-02-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FODM217D, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 4SOP / Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 3750V Isolation
Optocoupler Single Transistor-OUT 3750Vrms 4-Pin SOP Tube
Avnet Japan
Single Channel, DC Sensing Input, Phototransistor Optocoupler In Half-Pitch Mini-Flat 4-Pin Package
The FODM217 Series single channel, DC sensing input, optocoupler consists of one gallium arsenide (GaAs) infrared light emitting diode optically coupled to one phototransistor, in a compact, half-pitch, mini-flat, 4-pin package. The input-output isolation voltage, VISO, is rated at 3,750 VACRMS.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +127%
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Weight120 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Transfer Ratio300 %
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.4 V
Isolation Voltage3750 Vrms
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature110 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation70 mW
Reverse Voltage6 V
Schedule B8541408000
Turn-Off Delay Time3 µs
Turn-On Delay Time3 µs
Dimensions
Height2.39 mm
Datenblätter und Dokumente
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