onsemi FOD817D

Name: onsemi FOD817D
Brand: onsemi
SKU: FOD817D

Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation

$ 0.083

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FOD817D	2.100	2K						0,075	1d
Newark	2	FOD817D.	2.100	2K						0,103
Verical	4	FOD817D	119	90				0,129	0,102	0,070
Arrow Electronics	2	FOD817D	471	1		0,083	0,083	0,083	0,083	0,083
Future Electronics	2	FOD817D	10.199	250	Tube				0,077	0,074

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 2 Jahren

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

JRH Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

Mouser

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Dieser Teil

Alternative Teile

onsemiFOD817D

onsemiFOD817D300

Price @ 1000

$ 0.083

$ 0.172

Stock

555,444

397,646

Authorized Distributors

Case/Package

DIP

Number of Pins

Number of Channels

Isolation Voltage

5000 Vrms

Current Transfer Ratio

300 %

Rise Time

18 µs

Fall Time

18 µs

Output Voltage

70 V

Output Current

Forward Voltage

1.4 V

Forward Current

50 mA

Lieferkette

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00

Introduction Date2004-04-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FOD817D, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation

IHS

OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 5KV, DIP-4;

Farnell

5000V 50mA 1 1.2V PDIP-4 Optocouplers - Phototransistor Output ROHS

Dasenic

FOD814 Series 5000 Vrms High Operating Temperature Phototransistor Optocoupler

Future Electronics

4-Pin DIP Phototransistor Optocouplers

onsemi

Optocoupl DC-IN 1-CH Trans DC-OUT 4-Pin PDIP Black Box

Verical

OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 4DIP

Fly-Wing Technology

Optocoupler - Phototransistor Output

Weyland Electronics Group Pte. Ltd.

OptoCouplers & OptoIsolators Phototransistor Output

Mouser

No. Of Channels:1 Channel; Optocoupler Case Style:Dip; No. Of Pins:4Pins; Forward Current If Max:50Ma; Isolation Voltage:5Kv; Ctr Min:300%; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:70V; Product Range:-; Input Current:50Ma Rohs Compliant: Yes |Onsemi FOD817D.

Newark

The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package. The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Master Electronics

TME

Newark

Rochester Electronics

Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FOD817D.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDIP

MountThrough Hole

Number of Pins4

Weight408 mg

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage70 V

Collector Emitter Saturation Voltage200 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)200 mV

Current Transfer Ratio300 %

Dark Current100 nA

Fall Time18 µs

Forward Current50 mA

Forward Voltage1.4 V

Input Current50 mA

Isolation Voltage5000 Vrms

Max Collector Current50 mA

Max Input Current50 mA

Max Operating Temperature110 °C

Max Output Voltage70 V

Max Power Dissipation150 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Circuits1

Number of Elements1

Output Current per Channel50 mA

Output Voltage70 V

PackagingBox

Power Dissipation200 mW

Reverse Breakdown Voltage6 V

Rise Time18 µs

Schedule B8541408000

Datenblätter und Dokumente

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