onsemi FJP1943RTU
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Price @ 1000
$ 1.059
$ 2.453
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Stock
80,617
160,832
160,832
Authorized Distributors
3
5
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
-
-
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-230 V
250 V
250 V
Max Collector Current
17 A
17 A
17 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-
-
hFE Min
55
55
55
Power Dissipation
80 W
130 W
130 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-01-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FJP1943RTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 230V 15A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
TRANSISTOR, PNP, -230V, -15A, TO-220-3
5Ã×A 230V 80W 15A 60@7A5V 30MHz 400mV@8A800mA PNP -50¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Transistor, Pnp, -230V, -15A, To-220-3; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-230V; Transition Frequency Ft:30Mhz; Power Dissipation Pd:80W; Dc Collector Current:-15A; Dc Current Gain Hfe:55Hfe; Transistor Caserohs Compliant: Yes |Onsemi FJP1943RTU
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-230 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-230 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min55
Max Collector Current17 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation80 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Dimensions
Height20.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen