onsemi FGP15N60UNDF
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Authorized Distributors
2
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
Max Collector Current
30 A
30 A
Power Dissipation
178 W
47 W
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7 V
1.95 V
Reverse Recovery Time
82.4 ns
270 ns
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-01-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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IGBT 600V 30A 115W TO220 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonIRGB4620DPBF
600 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220AB package, TO220COPAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FGP15N60UNDF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 30A 178W TO220-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
178W 2.2V Freestanding 600V 30A TO-220-3 Through hole mounting 9.4mm(height)
Using advanced NPT IGBT technology, Fairchild’s the NPT IGBTs offer the optimum performance for low-power inverter-driven applications where low-losses and short-circuit ruggedness features are essential, such as : sewing machine, CNC, motor control and home appliances.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12.8 ns
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation178 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation178 W
Reverse Recovery Time82.4 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen