onsemi FGH60T65SQD-F155

Name: onsemi FGH60T65SQD-F155
Brand: onsemi
SKU: FGH60T65SQD-F155

IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench 650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT

$ 2.98

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	FGH60T65SQD-F155	13.500	450					2,664	2,499	1d
Newark		FGH60T65SQD-F155	14	1		7,340	6,430	4,600	4,000	4,000
Rochester Electronics		FGH60T65SQD-F155	126					2,530	2,260	2,130	4h
DigiKey		FGH60T65SQD-F155OS-ND	455	1	Tube	6,370	6,370	3,628	2,584	2,530
Flip Electronics		FGH60T65SQD-F155	4.500								17h

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Master Electronics

Datasheet10 SeitenVor 6 Jahren

IHS

onsemi

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-02-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FGH60T65SQD-F155, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench 650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT

onsemi

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB

IHS

IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3 / IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 333 W Through Hole TO-247-3

Win Source

Discrete IGBTs; FGH60T65SQD-F155; ON SEMICONDUCTOR; 650 V; 120 A; 333 W

Maritex

IGBT Transistors 650V 60A FS4 TRENCH

Future Electronics

IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3

Vigor Components

IGBT, SINGLE, 650V, 120A, TO-247; DC Collector Current: 120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 333W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin

Farnell

Bilder

RS

Newark

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: