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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDZ293P herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-09-23
LTD Date2011-03-23
Verwandte Teile
VishaySI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1 P-channel MOSFET Transistor; 4.3 A; 20 V; 4-Pin MICRO FOOT
VishaySI8472DB-T2-E1
780mW(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 18nC@ 8 V 1N 20V 44m¦¸@ 1.5A,4.5V 630pF@10V BGA 960¦Ìm*960¦Ìm*260¦Ìm
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDZ293P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 7-Pin BGA T/R
009 BALLS, FC-09B MOSFET BGA, 1.5 X 1.5MM PKG, SMD (Z7)<AZ
P-ch 2.5V specified BGA mosfet
MOSFETs 2.5V PCH,BGA 1.5x1.5 SPECIFIED POWRTRENCH
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 20V, 0.046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins9
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.6 A
Current Rating-4.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance46 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance754 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max46 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height850 µm
Datenblätter und Dokumente
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