Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
VishaySI8489EDB-T2-E1
SI8489EDB-T2-E1 P-channel MOSFET Transistor; 4.3 A; 20 V; 4-Pin MICRO FOOT
VishaySI8472DB-T2-E1
780mW(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 18nC@ 8 V 1N 20V 44m¦¸@ 1.5A,4.5V 630pF@10V BGA 960¦Ìm*960¦Ìm*260¦Ìm
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDZ204P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
20V/12V, 45/75MO, PCH, SINGLE, BGA 2X2, 240A GOX, PTI
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin BGA T/R
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:4.5A; On-Resistance, Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:BGA; Drain-Source Breakdown Voltage:20V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins9
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Current Rating-4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance884 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height800 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen