onsemi FDMS86320

Name: onsemi FDMS86320
Brand: onsemi
SKU: FDMS86320

PT7 80V/20V Nch Powertrench Mosfet - 8LD, Pqfn, Jedec MO-240 Aa, 5.0X6.0MM

$ 0.862

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

Autorisierte Distributoren

Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren

Nicht autorisierte Händler

Alle Preisnachlässe anzeigen

Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	FDMS86320	2.500	8				0,310	0,295	0,295
Arrow Electronics		FDMS86320	2.500	1		1,094	1,094	1,094	1,094	1,094
Rochester Electronics	2	FDMS86320	2.156					0,956	0,794	0,708	4h
DigiKey	3	FDMS86320CT-ND	18.646	1	Cut Tape	2,650	1,704	1,165	0,862	0,862
Newark		FDMS86320	0	3K	Tape & Reel					0,845

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +35.24%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDMS86320 herunter.

Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 4 Jahren

Master Electronics

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:

+35.24%

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-12-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMS86320, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

PT7 80V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET - 8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM

Newark

N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 44A, 11.7mΩ

onsemi

N-Channel 80 V 11.7 mO 41 nC SMT PowerTrench® Mosfet - POWER 56

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 80V, 0.0117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA

IHS

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(on), fast switching speed, and body diode reverse-recovery performance.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +35.24%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight74 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)10.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance11.7 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time5 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.64 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation69 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max11.7 mΩ

Rise Time8 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time20 ns

Turn-On Delay Time15 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length5 mm

Width6 mm