onsemi FDMS86300DC

Name: onsemi FDMS86300DC
Brand: onsemi
SKU: FDMS86300DC

MOSFET, N CH, 80V, 0.0026OHM, 76A, POWER 56-8; Transistor Polarity: N Channel; Co

$ 1.39

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDMS86300DC	9.000	3K						1,341	21h
Newark		FDMS86300DC	3.359	1		3,860	2,530	1,770	1,570	1,570
Verical		FDMS86300DC	3.000	242					1,388	1,300
Rochester Electronics		FDMS86300DC	3.000					1,240	1,110	1,040	19h
DigiKey	2	FDMS86300DCFSCT-ND	369	1	Cut Tape	4,010	2,627	1,840	1,519	1,519

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 2 Jahren

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Master Electronics

Upverter

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onsemi

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-03-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMS86300DC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, N CH, 80V, 0.0026OHM, 76A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Co

Newark

N-Channel PowerTrench® MOSFET, Dual CoolTM 56, 80V, 110A, 3.1mΩ

onsemi

Dual N-Channel 80 V 5 mOhm 84 nC 125 W PowerTrench SMT Mosfet - PQFN-8

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 76 A, 0.0026 ohm, Power 56, Surface Mount

Avnet

N-CHANNEL DUAL 56 POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 80V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA

ComSIT Distribution GmbH

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N CH, 80V, 76A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:76A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.3V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)

Farnell

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight90 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)24 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance3.1 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance7.005 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation125 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs3.3 V

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation3.2 W

Rds On Max3.1 mΩ

Rise Time25 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.5 V

Turn-Off Delay Time35 ns

Turn-On Delay Time29 ns

Dimensions

Height1.05 mm

Length5.1 mm

Width5.85 mm

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