onsemi FDMS86263P
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
VishaySQD25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252 / Trans MOSFET N-CH 150V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMS86263P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
PT5 150/25V Pch Power Trench MOSFET - 8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM
FDMS86263P Series -150 V 4.4 A 53 mOhm P-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
P-Channel PowerTrench® MOSFET -150V, -22A, 53mΩ
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, P-CH, -150V, -22A, POWER 56-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -22A; Drain Source Voltage Vds: -150V; On Resistance Rds(on): 0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and optimized for superior switching performance.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance53 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.905 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation104 W
Rds On Max53 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.9 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width5.85 mm
Datenblätter und Dokumente
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