Infineon IRF6775MTRPBF

Single N-Channel 150 V 47 mOhm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
$ 0.843
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF6775MTRPBF herunter.

IHS

Datasheet11 SeitenVor 12 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 12 Jahren

TME

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-20.77%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRF6775MTRPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30

Verwandte Teile

Single N-Channel 150 V 42 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Digital Audio 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 150V, 33A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
onsemiFDD2572
N-Channel Power Trench® MOSFET, 150V, 29A, 54mΩ
onsemiFDB2572
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 29A, 54mΩ
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 29A, 54mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF6775MTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 150 V 47 mOhm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Surface Mount
A 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MZ package rated at 28 amperes optimized with low on resistance for applications such as Class D Audio Amplifier. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in pa
MOSET TRANSISTOR; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:4.9A; Drain Source Voltage, Vds:150V; On Resistance, Rds(on):0.047ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:5V; Power Dissipation, Pd:2.8W ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF6775M
  • IRF6775MTRPBF.
  • SP001562042