onsemi FDMS3008SDC
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2019-04-18
LTD Date2019-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
VishaySI7336ADP-T1-E3
Single N-Channel 30 V 0.003 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
VishaySI7336ADP-T1-GE3
Si7336ADP Series 30 V 3 mohm Surface Mount N-Channel Mosfet - POWERPAK-SO-8
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMS3008SDC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM, Dual CoolTM 56, 30V, 65A, 2.6mΩ
N-CHANNEL DUAL COOL 56 POWERTRENCH SYNCFET Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -71.43%
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.52 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation78 W
Rds On Max2.6 mΩ
Rise Time4.7 ns
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5.1 mm
Width5.85 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen