onsemi FDME910PZT

Name: onsemi FDME910PZT
Brand: onsemi
SKU: FDME910PZT

P-Channel 20 V 8 A 24 mOhm Power Trench® Mosfet - MicorFET

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	2	FDME910PZT	0	5	Cut Tape		0,358*	0,358*	0,358*	0,358*	1d
Win Source		WS-FDME910PZT	5.285	210					0,219	0,184	26m
Worldway Electronics		FDME910PZT	29.670	7	Tape & Reel		0,142	0,138	0,131	0,131	23h
Chipsmall Limited		FDME910PZT	315.000	1		2,580	1,720	1,032	0,860	0,860	1d
Anlinkda		FDME910PZT	42.634			0,426	0,381	0,330	0,319	0,309	2d

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 2 Jahren

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Future Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

Lieferkette

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2012-04-13

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)

LTB Date2021-10-08

LTD Date2022-04-08

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDME910PZT, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel 20 V 8 A 24 mOhm Power Trench® Mosfet - MicorFET

Future Electronics

FDME910PZT P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V PowerTrench, 6-Pin MLP ON Semiconductor

Jak Electronics

P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -8A, 24mΩ

onsemi

This device is designed specifically for battery charging or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low on-state resistance and zener diode protection against ESD. The MicroFET 1.6x1.6 Thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to switching and linear mode applications.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)8 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance24 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time46 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance2.11 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.1 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation2.1 W

Rds On Max24 mΩ

Rise Time11 ns

Turn-Off Delay Time87 ns

Turn-On Delay Time9 ns

Dimensions

Height500 µm

Length1.6 mm

Width1.6 mm

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