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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2015-03-06

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMD85100, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 48A 8-Pin PQFN T/R

Avnet Japan

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V 48A, 9.9mΩ

onsemi

100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET - 8LD, PQFN, JEDEC, 5.0X6.0MM, POWERCLIP DUAL, SYMMETRICAL HAL

Newark

MOSFET, N-CH, 100V, 48A, QFN-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 48A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.1

Farnell

This device includes two 100V N-Channel MOSFETs in a dual Power (5 mm X 6 mm) package. HS source and LS Drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon.

Fairchild Semiconductor

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -0.54%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight94.85095 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)48 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance9.9 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)100 V

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.23 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation50 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation2.2 W

Rds On Max9.9 mΩ

Dimensions

Height800 µm