Infineon BSC123N10LSGATMA1
$ 0.812
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC123N10LSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A Automotive 8-Pin TDSON EP
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
MOSFET, N CH, 71A, 100V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:71A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.85V; Power Dissipation Pd:114W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:71A; Power Dissipation Pd:114W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.6 A
Drain to Source Resistance12.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation114 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance12.3 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation114 W
Rds On Max12.3 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen