onsemi FDMC7570S
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-12-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFH4210DTRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMC7570S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
2.3W(Ta)，59W(Tc) 20V 3V@1mA 68nC@ 10V 1individualNChannel 25V 2mΩ@ 27A,10V 27A，40A 4.41nF@13V PQFN-8 SMD mount 3.3mm*3.3mm*800μm
MOSFET, N CH, 25V, 40A, POWER33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Power Dissipation Pd:59W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 33; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
The FDMC7570S has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight32.13 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.41 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation59 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.7 V
Number of Elements1
Power Dissipation59 W
Rds On Max2 mΩ
Resistance2 MΩ
Rise Time6.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen