onsemi FDMC007N30D
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Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-09-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMC007N30D, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
PT8+ Technology 30V Dual N-Channel MOSFET - 8 LD, MLP, DUAL, NON JEDEC, 3 MM SQUARE, DUAL DAP
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V
Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor
2.5W 12V 3V@ 250¦ÌA 34nC@ 10V 2N 30V 11.6m¦¸@ 10A,10V 46A 1.11nF@ 15V,2.36nF@ 15V MLP-8 3mm*3mm*800¦Ìm
30V 46A 11.6mΩ@10A,10V 2 N-Channel WDFN-8 MOSFETs ROHS
MOSFET PT8+ TECH. 30V DUAL N-CHA
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 46A 8MLP
IC MCU 32BIT 576KB FLASH 144LQFP
PT8+ TECHNOLOGY 30V DUAL N-CHANN
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual power33(3mm X 3mm MLP) package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous MOSFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals8
Weight186 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Dimensions
Height800 µm