onsemi FDMC007N08LCDC
$ 1.77
Production
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMC007N08LCDC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN / N-Channel 80 V 64A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 80 V, 64A, 6.8mΩ
Transistor MOSFET N-CH 80V 64A 8-Pin PQFN T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 80V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
Mosfet, N Ch, 80V, 64A, Qfn-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:64A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(On):0.0051Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Onsemi FDMC007N08LCDC
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -94.51%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)64 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation57 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height800 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen