onsemi FDMA1023PZ

Name: onsemi FDMA1023PZ
Brand: onsemi
SKU: FDMA1023PZ

PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V , -3.7A, 72mΩ

$ 0.42

Production

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics		FDMA1023PZ	6.000	3K	Tape & Reel					0,445
Newark		FDMA1023PZ	5.353	1		1,370	0,862	0,570	0,404	0,404
Verical		FDMA1023PZ	838.904	822					0,421	0,375
Rochester Electronics		FDMA1023PZ	839.193					0,406	0,337	0,300	2d
DigiKey	3	FDMA1023PZCT-ND	7.771	1	Cut Tape	1,420	0,896	0,592	0,420	0,420

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 3 Jahren

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

Master Electronics

Fairchild Semiconductor

onsemi

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Lieferkette

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2007-03-19

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDMA1023PZ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V , -3.7A, 72mΩ

onsemi

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 3.7A 6-Pin MicroFET T/R

Avnet Japan

FDMA1023PZ Series -20 V -3.7 A 72 mOhm Dual P-Ch. PowerTrench® MOSFET-MicroFET-6

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC

IHS

MOSFET, DUAL P CH, -20V, -3.7A, MICROFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-700mV; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:µFET; No. of Pins:6; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)

Farnell

This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultraportable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bi-directional current flow is possible. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDMA1023PZ.

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Technische Spezifikationen

Physical

Contact PlatingGold

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight40 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance72 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V

Element ConfigurationDual

Fall Time12 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance655 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.5 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-700 mV

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation700 mW

Rds On Max72 mΩ

Rise Time12 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-700 mV

Turn-Off Delay Time64 ns

Turn-On Delay Time9 ns

Dimensions

Height850 µm

Length2 mm

Width2 mm

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