Diodes Inc. DMN2100UDM-7
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Verwandte Teile
Beschreibungen
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Single N-Channel 20 V 1.5 W 8.8 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23-6
Mosfet, N-Ch, 20V, 4A, Sot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2100UDM-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-26, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -8.11%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-26
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time234 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance555 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max55 mΩ
Rise Time78 ns
Turn-Off Delay Time561 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen