onsemi FDG6321C

Name: onsemi FDG6321C
Brand: onsemi
SKU: FDG6321C

Trans Mosfet N/p-ch 25V 0.5A/0.41A 6-PIN SC-88 T/r

EOL

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FDG6321C	0	3K	Cut Tape					0,288
Avnet		FDG6321C	0	6K							3d
element14 APAC	2	FDG6321C	0	5	Cut Tape		0,313*	0,276*	0,208*	0,195*	15h
Farnell	2	FDG6321C	0	1	Cut Tape	0,500*	0,383*	0,209*	0,157*	0,135*	22h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		FDG6321C	3.000	1	Tape & Reel	1,803	1,803	1,803	1,803	1,803	1d

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 3 Jahren

Datasheet9 SeitenVor 0 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1998-11-01

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)

LTB Date2025-04-17

LTD Date2025-10-17

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDG6321C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

Richardson RFPD

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 25V, SC-70; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 500mA; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.45ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 800mV; Power Dissipation Pd: 300mW; Transistor Case Style: SC-70; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max: 500mA; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 25V; Voltage Vgs Max: 800mV; Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5V

Farnell

Dual N/P Channel Mosfet, 25V, Sc-70; Transistor, Polaridad:Canal N Y P; Intensidad Drenador Continua Id:500Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:25V; Resistencia De Activación Rds(On):450Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):4.5V |Onsemi FDG6321C

Newark

These dual N & P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Conrad

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDG6321C.

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Alternative Teile

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight28 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)500 mA

Current Rating500 mA

Drain to Source Breakdown Voltage25 V

Drain to Source Resistance450 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)25 V

Element ConfigurationDual

Fall Time8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance50 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation300 mW

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation300 mW

Rds On Max450 mΩ

Resistance450 mΩ

Rise Time8 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage800 mV

Turn-Off Delay Time55 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Datenblätter und Dokumente

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