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onsemi FDG6304P

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-70 T/R
EOL
Datenblatt
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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
2
FDG6304P
0
3K
Tape & Reel
USD
0,172
Avnet
FDG6304P
0
6K
13h
Sensible Micro
FDG6304P
5.500
USD
0,189
0,175
0,175
1d
GreenChips
FDG6304P
2.185
USD
0,213
0,213
0,202
0,193
0,174
8h
Win Source
WS-FDG6304P
21.930
155
USD
0,268
0,257
12h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDG6304P herunter.

IHS

Datasheet8 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet5 SeitenVor 26 Jahren

Fairchild Semiconductor

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Future Electronics

onsemi

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-02-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)

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SI1553CDL-T1-GE3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 0.4A, 0.7A, 20V, 6-Pin SOT-363
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDG6304P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-70 T/R
Avnet Japan
Dual P-Channel Digital FET -25V, 0.41A, 1.1Ω
onsemi
Dual MOSFET, P Channel, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
Avnet Silica
Dual P-Channel 25 V 1.1 Ohm Surface Mount Digital FET - SC70-6
Future Electronics
Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R
Verical
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.41A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
FDG6304P,006, PLASTIC MOLDED S C70-6 LEAD PACKAGE, SMD<AZ
Jameco
25V DUAL P-CH. FET, 1.1 O, SC7
Onlinecomponents.com
IC FET DGTL P-CHAN DUAL SC70-6
DigiKey
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-25V; Continuous Drain Current, Id:-0.41A; On Resistance, Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:6-SC-70 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
These dual P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS.
Fairchild Semiconductor

Bilder

Farnell
RS
Newark
Farnell
iiiC
TME
Jameco
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FDG6304P.