onsemi FDD86252

Name: onsemi FDD86252
Brand: onsemi
SKU: FDD86252

Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 150 V, 27 A, 52 mΩ

$ 0.642

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

Autorisierte Distributoren

Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren

Nicht autorisierte Händler

Alle Preisnachlässe anzeigen

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDD86252	2.500	2500						0,586	5d
Newark	2	FDD86252	87.955	5	Cut Tape		1,460	1,150	1,150	1,150
Verical	2	FDD86252	20	10			0,653	0,638	0,613	0,613
Arrow Electronics		FDD86252	20	1		0,753	0,653	0,653	0,653	0,653
Master Electronics		FDD86252	1.900	50				0,538	0,512	0,490

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -6.60%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDD86252 herunter.

Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 6 Jahren

Master Electronics

IHS

onsemi

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:

-6.60%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi FDD86252 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLE	eCAD	mCAD	DATEIEN
Component Search Engine	SymbolFußabdruck	3D	Herunterladen
EE Concierge	SymbolFußabdruck

Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.

Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-09-30

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDD86252, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 150 V, 27 A, 52 mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH Si 150V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 150V 5A DPAK

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Semicontronic

MOSFET, N CH, 150V, 42A, TO252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.1V; Power Dissipation Pd:89W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited

Farnell

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -6.60%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight260.37 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)5 A

Drain to Source Breakdown Voltage150 V

Drain to Source Resistance52 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)150 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time3 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance985 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation89 W

Min Breakdown Voltage150 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation3.1 W

Rds On Max52 mΩ

Rise Time1.8 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage3.1 V

Turn-Off Delay Time14 ns

Turn-On Delay Time8.3 ns

Dimensions

Height2.517 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm