STMicroelectronics STD6NF10T4

Name: STMicroelectronics STD6NF10T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD6NF10T4

N-channel 100V - 0.22 Ohm - 6A Dpak Low Gate Charge Stripfet Mosfet

$ 0.499

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
TME	2	STD6NF10T4	0	1		0,630	0,552	0,462	0,397	0,366	22h
RS (Formerly Allied Electronics)		STD6NF10T4	0	5	Bulk		0,660	0,600	0,600	0,600	17h
element14 APAC	2	STD6NF10T4	0	1	Cut Tape	1,841*	1,169*	0,776*	0,559*	0,547*	14h
Farnell	2	STD6NF10T4	0	1	Cut Tape	1,376*	1,065*	0,768*	0,499*	0,475*	1d
Win Source		WS-STD6NF10T4	72.632	55				0,982	0,655	0,655	1h

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Newark

Datasheet14 SeitenVor 20 Jahren

TME

Arrow Electronics

Nu Horizons

iiiC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-07-27

LTD Date2025-01-27

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STD6NF10T4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-CHANNEL 100V - 0.22 OHM - 6A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

STMicroelectronics

STD6NF10T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6 A, 100 V, 3-PIN TO-252

RS (Formerly Allied Electronics)

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET, N CH, 100V, 6A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 30W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 6A; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 100V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V

Farnell

Mosfet, N Channel, 100V, 6A, Dpak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):220Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STD6NF10T4

Newark

Bilder

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Lanka Micro

iiiC

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

STD6NF10-T4

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-252

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)6 A

Current Rating6 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance250 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time3 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance280 pF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation30 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation30 W

Rds On Max250 mΩ

Resistance250 mΩ

Rise Time10 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time20 ns

Turn-On Delay Time6 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height2.4 mm

Length6.6 mm

Width6.2 mm