onsemi FDD6680A
Obsolete
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Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-09-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-06-03
LTD Date2010-12-03
Verwandte Teile
VishaySUD45P03-09-GE3
Single P-Channel 30 V 8.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252
STMicroelectronicsSTD30NF03LT4
N-channel 30 V, 0.02 Ohm typ., 30 A StripFET(TM) II PowerMOSFET in a DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD6680A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET | MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
30V N-CH. FET, 95 MO, DPAK, T
MISCELLANEOUS MOSFETS;
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:56A; On Resistance, Rds(on):0.0125ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-252 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.425 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max9.5 mΩ
Rise Time9 ns
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time31 ns
Datenblätter und Dokumente
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