onsemi FDD5N60NZTM

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 4 A, 2 Ω, DPAK
$ 0.587
Production
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
FDD5N60NZTM4.0631Cut Tape
VericalFDD5N60NZTM2.200495
Future Electronics
2
FDD5N60NZTM2.5002500Tape & Reel
Rochester ElectronicsFDD5N60NZTM2.201
7h
DigiKey
3
FDD5N60NZTMCT-ND35.8731Cut Tape

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Technical Drawing1 SeiteVor 3 Jahren

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Fairchild Semiconductor

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiFDD5N60NZTM
onsemiNDD04N60ZT4G
Price @ 1000
$ 0.587
$ 0.86
Stock
829,723
1,149,217
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
2.6 A
Threshold Voltage
-
3.9 V
Rds On Max
2 Ω
2 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
30 V
Power Dissipation
83 W
83 W
Input Capacitance
600 pF
640 pF

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-09-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDD5N60NZTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 4 A, 2 Ω, DPAK
onsemi
UNIFET2 600V N-CHANNEL MOSFET, DPAK - TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB
Newark
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
MOSFET, N-CH, 600V, 4A, 83W, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 1.65ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Po
Farnell
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Bilder

RS
Augswan
Farnell
TME
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd