onsemi FDD306P

P-Channel PowerTrench® MOSFET, 1.8V Specified, -12V, -6.7A, 28mΩ
$ 0.488
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDD306P herunter.

Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 3 Jahren

Master Electronics

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-20.34%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi FDD306P Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
SnapEDA
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-01-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

onsemiFDD6685
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, -40A, 20mΩ
onsemiFDD4685
ON SEMICONDUCTOR - FDD4685 - MOSFET Transistor, P Channel, 8.4 mA, -40 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.6 V
onsemiFDD4243
P-Channel owerTrench® MOSFET, -40V, -14A, 44mΩ
STMicroelectronicsSTD7NS20T4
N-channel 200 V, 0.35 Ohm typ., 7 A Power MOSFET in DPAK package
N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11
Diodes Inc.DMG4511SK4-13
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 35V, 5.3A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4511SK4-13

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDD306P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel PowerTrench® MOSFET, 1.8V Specified, -12V, -6.7A, 28mΩ
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0.47uF 10V X7R +/-10% 0603 AEC-Q200
Single P-Channel 12 V 52 W 21 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 12V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
This P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management.
MOSFET, P, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6.7A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-500mV; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:-6.7A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:52W; Power Dissipation Pd:52W; Pulse Current Idm:54A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-12V; Voltage Vgs Max:-8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FDD306P.