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onsemi FDC6303N

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
$ 0.21
Production
Datenblatt
Herstellerseite

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Avnet
2
FDC6303N
18.000
3K
USD
0,127
22h
Newark
4
FDC6303N
117.478
1
Cut Tape
USD
0,764
0,764
0,307
0,210
0,202
Master Electronics
FDC6303N
2.500
250
USD
0,184
0,164
Onlinecomponents.com
FDC6303N
2.500
250
Bulk
USD
0,184
0,164
Rochester Electronics
FDC6303N
973
USD
0,177
0,147
0,131
20h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet5 SeitenVor 28 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

onsemi

Farnell

element14 APAC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.27%
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Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Diodes Inc.DMP2033UVT-7
Trans MOSFET P-CH -20V -4.2A 6-Pin TSOT-26 T/R
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDC6303N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
Avnet Japan
onsemi N-Ch Enhancement MOSFET Vds=25V 680mA SOT-23 SMD 6-Pin
UnikeyIC
DIGITAL FET, DUAL N-CHANNEL Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
Chip Resistor - Surface Mount 75mOhm Wide 1206 (3216 Metric), 0612 ±1% 0/ +150ppm/°C Thick Film Tape & Reel (TR) 2 1 (Unlimited) ERJ Res Thick Film 1206 0.075 Ohm 1% 1W 0ppm/C to 150ppm/C Molded SMD Punched Carrier T/R
Utmel Electronic
MOSFET, DUAL, N, SMD, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:800mV; Power Dissipation Pd:900mW; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:680mA; Current Id Max:680mA; Drain Source Voltage Vds:25V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):450mohm; Package / Case:SuperSOT-6; Power Dissipation Pd:900mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:800mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
element14 APAC
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-Channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
Fairchild Semiconductor

Bilder

RS
Augswan
Farnell
Farnell
Farnell
Newark
Jameco (USA)
Farnell
TME
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FDC6303N.