onsemi FDBL86066-F085
$ 2.01
Production
Preis und Lagerbestand
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3-Monats-Trend: -10.84%
CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDBL86066-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ON SEMICONDUCTOR - FDBL86066-F085 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 185 A, 100 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.9 V
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100 V, 240 A, 4.1 mΩ
Power Field-Effect Transistor, 185A I(D), 100V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, H-PSOF; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 185A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -10.84%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)185 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen