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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2005-09-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDB44N25TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250V, 44A, 69mΩ, D2PAK

onsemi

N-Channel 250 V 0.069 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet - D2PAK-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 250V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDB44N25TM.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -3.79%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-263-2

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)44 A

Current Rating44 A

Drain to Source Breakdown Voltage250 V

Drain to Source Resistance69 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)250 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time115 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance2.87 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation307 W

Min Breakdown Voltage250 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs5 V

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation307 W

Rds On Max69 mΩ

Resistance69 mΩ

Rise Time400 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage5 V

Turn-Off Delay Time85 ns

Turn-On Delay Time55 ns

Voltage Rating (DC)250 V

Dimensions

Height4.83 mm

Length10.67 mm

Width11.33 mm