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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-08-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
InfineonAUIRFS4310
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRFS4410Z
MOSFET, N-CH, 100V, 97A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
International RectifierAUIRFS4310TRL
Trans MOSFET N-CH Si 100V 130A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTB100N10F7
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTH110N10F7-2
N-channel 100 V, 4.9 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDB3632-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 80A, 9mΩ
Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time39 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time96 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen