onsemi FDB024N08BL7

Name: onsemi FDB024N08BL7
Brand: onsemi
SKU: FDB024N08BL7

Single N-Channel 80 V 246 W 178 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - TO-263-7

$ 2.415

Production

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	3	FDB024N08BL7	3.144	141					2,388	2,250
Rochester Electronics		FDB024N08BL7	4.159					2,140	1,910	1,800	11h
DigiKey	3	FDB024N08BL7CT-ND	4.686	1	Cut Tape	6,010	4,009	2,877	2,877	2,877
Newark	2	FDB024N08BL7	0	1	Cut Tape	6,310	6,310	6,310	6,310	6,310
Onlinecomponents.com		FDB024N08BL7	0	10	Bulk		2,550	2,410	2,110	2,060

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Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 6 Jahren

Master Electronics

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-06-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDB024N08BL7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 80 V 246 W 178 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - TO-263-7

Future Electronics

N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 229A, 2.4mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB

IHS

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins7

Number of Terminals6

Weight1.312 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)120 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance2.4 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time41 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance13.53 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation246 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation246 W

Rds On Max2.4 mΩ

Rise Time66 ns

Turn-Off Delay Time87 ns

Turn-On Delay Time47 ns

Dimensions

Height4.9 mm

Length10.2 mm

Width9.4 mm