onsemi FCP360N65S3R0
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$ 1.395
Stock
156,749
289,822
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220
Drain to Source Voltage (Vds)
650 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
10 A
9 A
Threshold Voltage
-
2 V
Rds On Max
-
385 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
83 W
83.3 W
Input Capacitance
-
1.24 nF
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FCP360N65S3R0, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mΩ, TO-220
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3 / N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3
83W(Tc) 30V 4.5V@1mA 18nC@10V N-Channel 650V 360mΩ@5A,10V 10A 730pF@400V TO-220-3 TH
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Chip Resistor - Surface Mount 162kOhm 1206 (3216 Metric) ±0.1% ±25ppm/°C Thin Film Cut Tape (CT) 2 1 (Unlimited) ERA-8A RESISTOR, 1206, 162K, FULL REEL
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation83 W
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height20.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen