onsemi FCH20N60
$ 2.498
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-08-31
LTD Date2009-02-28
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
onsemiFCH165N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 23 A, 165 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTW28NM60ND
STW28NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 23 A, 650 V, 3-PIN TO-247
STMicroelectronicsSTW24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-247
InfineonIPW60R160P6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 23.8 A, 160 mOhm, TO-247, 3 Pins, Through Hole
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FCH20N60, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
208W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 98nC@ 10V 1N 600V 190m¦¸@ 10A,10V 3.08pF@25V TO-247-3
600 V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
MOSFET, N, TO-247; Transistor type:MOSFET; Voltage, Vds typ:600V; Current, Id cont:20A; Resistance, Rds on:0.15R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:5V; Case style:TO-247 (SOT-249); Temperature, operating range:-55°C to +150°C; Case style, alternate:SOT-249; Current, Idm pulse:60A; Power, Pd:208W; Transistor polarity:N; Voltage, Vds max:600V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.08 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation208 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time140 ns
Turn-Off Delay Time230 ns
Turn-On Delay Time62 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height25.7 mm
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